收藏本站
μ PA2791GR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C. All terminals are connected.)
PARAMETER
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
SYMBOL
V DSS
V GSS
N-CHANNEL
30
± 20
P-CHANNEL
? 30
m 20
UNIT
V
V
Drain Current (DC) (T C = 25 ° C)
Note2
I D(DC)
± 5
m 5
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
± 20
m 20
A
Total Power Dissipation (1 unit)
Note2
P T1
1.7
W
Total Power Dissipation (2 units)
Channel Temperature
Storage Temperature
Note2
P T2
T ch
T stg
2.0
150
? 55 to + 150
W
° C
° C
<R> Single Avalanche Current
<R> Single Avalanche Energy
Note3
Note3
I AS
E AS
5
2.5
? 5
A
mJ
2. Mounted on ceramic substrate of 2000 mm x 1.6 mmt
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
2
<R>
2
3. Starting T ch = 25 ° C, V DD = 1/2 x V DSS , R G = 25 Ω , L = 100 μ H, V GS = V GSS → 0 V
Data Sheet G18207EJ2V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
UPA602T-T1-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59
UPA603T-T2-A MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59
UPA606T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59
UPA607T-T1-A MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59
UPA610TA-T2-A MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59
UPA611TA-T2-A MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6
UPA621TT-E2-A MOSFET N-CH 20V 6-WSOF
UPA622TT-E2-A MOSFET N-CH 30V 6-WSOF
相关代理商/技术参数
UPA2792AGR-E1-AT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:COMPLEMENTARY MOSFET 30V, NCH/PCH 8PIN SOP - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET ARRAY 30V 10A 8SOP
UPA2794GR-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2794GR-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2806 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2806T1L-E1-AY 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2806T1L-E2-AY 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2810T1L-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA2810T1L-E2-AY 功能描述:MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件